電験三種 令和6年度(2024) 上期 理論 問11 過去問解説

問11 《電子回路(トランジスタとFET)》
バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として,誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
  1. (1) バイポーラトランジスタは,消費電力がFETより大きい。
  2. (2) バイポーラトランジスタは,静電気に対してFETより破壊されにくい。
  3. (3) バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは,FETのそれよりも低い。
  4. (4) バイポーラトランジスタは電圧制御素子,FETは電流制御素子といわれる。
  5. (5) バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し,FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。
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正解は(4)
解説
【考え方】バイポーラトランジスタは「電流で動かす」、FET(電界効果トランジスタ)は「電圧で動かす」部品です。 ■1 (1) 消費電力 FETはゲートにほとんど電流が流れないので、バイポーラの方が消費電力は大きいです。正しいです。 ■2 (2) 静電気 FET(特にMOS形)はゲートの絶縁膜がとても薄く、静電気でこわれやすいです。正しいです。 ■3 (3) 入力インピーダンス(入力側の電流の流れにくさ) FETはゲートに電流がほとんど流れないので、FETの方が高いです。正しいです。 ■4 (4) 電流制御と電圧制御 バイポーラはベース電流で動かす「電流制御素子」、FETはゲート電圧で動かす「電圧制御素子」です。 (4)は逆なので、誤りです。 ■5 (5) 電流を運ぶもの バイポーラは自由電子と正孔(電子のぬけた穴)の両方、FETはどちらか一方が電流を運びます。正しいです。 答えは(4)ピヨ。
出典:令和6年度(2024) 上期 第三種電気主任技術者試験(電気技術者試験センター)理論 問11