電験三種 平成22年度(2010) 理論 問11 過去問解説

問11 《半導体(ホール素子のしくみ)》
次の文章は,図1及び図2に示す原理図を用いてホール素子の動作原理について述べたものである。 図1に示すように,p形半導体に直流電流 $I$[A]を流し,半導体の表面に対して垂直に下から上向きに磁束密度 $B$[T]の平等磁界を半導体にかけると,半導体内の正孔は進路を曲げられ,電極①には(ア)電荷,電極②には(イ)電荷が分布し,半導体の内部に電界が生じる。また,図2のn形半導体の場合は,電界の方向はp形半導体の方向と(ウ)である。この電界により,電極①-②間にホール電圧 $V_{\mathrm{H}} = R_{\mathrm{H}} \times$(エ)[V]が発生する。 ただし,$d$[m]は半導体の厚さを示し,$R_{\mathrm{H}}$ は比例定数[m³/C]である。 上記の記述中の空白箇所(ア),(イ),(ウ)及び(エ)に当てはまる語句又は式として,正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。
問11の図
  1. (1) (ア)負,(イ)正,(ウ)同じ,(エ)$\dfrac{B}{Id}$
  2. (2) (ア)負,(イ)正,(ウ)同じ,(エ)$\dfrac{Id}{B}$
  3. (3) (ア)正,(イ)負,(ウ)同じ,(エ)$\dfrac{d}{BI}$
  4. (4) (ア)負,(イ)正,(ウ)反対,(エ)$\dfrac{BI}{d}$
  5. (5) (ア)正,(イ)負,(ウ)反対,(エ)$\dfrac{BI}{d}$
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正解は(5)
使う公式
ホール電圧 $V_{\mathrm{H}} = R_{\mathrm{H}}\dfrac{BI}{d}$(R_H:ホール係数[m³/C]、B:磁束密度[T]、I:電流[A]、d:厚さ[m])
解説
【考え方】磁界の中を動く電気の粒は、横向きの力(ローレンツ力)を受けて曲がります。曲がった粒がたまった側が、その粒の電気の符号になります。 ■1 (ア)(イ) p形のとき p形では、正の電気をもつ正孔(電子がぬけた穴)が電流の向きに動き、電極①の側へ曲げられます。 ①には正の電荷がたまります。→ (ア) 正 ②は反対に負になります。→ (イ) 負 ■2 (ウ) n形のとき n形では、負の電気をもつ電子が動きます。 電子は電流と逆向きに動きますが、電気の符号も逆なので、正孔と同じ側(①)に曲げられます。 ①が負になるので、電界の向きは p形と反対です。→ (ウ) 反対 ■3 (エ) ホール電圧 ホール電圧は、B と I に比例し、厚さ d に反比例します。→ (エ) $\dfrac{BI}{d}$ 答えは(5)ピヨ。
出典:平成22年度(2010) 第三種電気主任技術者試験(電気技術者試験センター)理論 問11