電験三種 平成24年度(2012) 理論 問11 過去問解説

問11 《電子理論(半導体集積回路 IC)》
半導体集積回路(IC)に関する記述として,誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
  1. (1) MOS ICは,MOSFETを中心としてつくられたICである。
  2. (2) ICを構造から分類すると,モノリシックICとハイブリッドICに分けられる。
  3. (3) CMOS ICは,nチャネルMOSFETのみを用いて構成されるICである。
  4. (4) アナログICには,演算増幅器やリニアICなどがある。
  5. (5) ハイブリッドICでは,絶縁基板上に,ICチップや抵抗,コンデンサなどの回路素子が組み込まれている。
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正解は(3)
解説
【考え方】(1)〜(5) を1つずつ確かめます。CMOS の「C」の意味がポイントです。 ポイント:CMOS は pチャネルとnチャネルの MOSFET を組み合わせた回路です(C は「相補(おたがいに補い合う)」の意味)。 ■1 (1) MOS IC MOS IC は、MOSFET(電圧で電流を切りかえる部品)を中心に作った IC です。正しいです。 ■2 (2) 構造での分け方 1つのシリコンの板に作るモノリシック IC と、板の上に部品を組み合わせるハイブリッド IC があります。正しいです。 ■3 (3) CMOS IC CMOS は、pチャネルとnチャネルの両方を組み合わせます。 「nチャネルのみ」は誤りです。 ■4 (4) アナログ IC アナログ IC には、演算増幅器(オペアンプ)やリニア IC などがあります。正しいです。 ■5 (5) ハイブリッド IC 絶縁の板の上に IC チップや抵抗、コンデンサをのせたものです。正しいです。 答えは(3)ピヨ。
出典:平成24年度(2012) 第三種電気主任技術者試験(電気技術者試験センター)理論 問11